3180 沼野 さんの私的ブログサイト

建築技師である江崎壮一郎の長男として大阪府大阪市にて誕生。1947年に東京帝国大学を卒業し、川西機械製作所（後の神戸工業株式会社、現在の富士通テン）に入社。真空管の陰極からの熱電子放出の研究を行った。1956年、東京通信工業株式会社（現在のソニー）に移籍。半導体研究室の主任研究員として、PN接合ダイオードの研究に着手。約1年間の試行錯誤の後、ゲルマニウムのPN接合幅を薄くすると、その電流電圧特性はトンネル効果による影響が支配的となり、電圧を大きくするほど逆に電流が減少するという負性抵抗を示すことを発見した。

なお発見の顛末については、当時東通工が製造していたゲルマニウムトランジスタの不良品解析において、偶然トンネル効果を持つトランジスタ（製品としては使い物にならない）が見つかったことが発見のきっかけであることが、後にNHKスペシャル『電子立国日本の自叙伝』の中で当時の関係者により語られている。

初期のトランジスタにはゲルマニウムが使われ、安定性に優れるシリコンが登場するまでは主流だった。現在でも、電圧降下が小さいことからダイオードや、バンドギャップが比較的狭いことから光検出器に用いられる。

また、ガンマ線の放射線検出器(半導体検出器)にも用いられる。素子を液体窒素などで冷却する必要があるという欠点もあるが、エネルギー分解能に優れることから利用されている。

石英を用いたレンズにゲルマニウムを添加すると屈折率が上がり、また赤外線を透過するようになるので、光学用途にも多用される。

この発見は、物理学において固体でのトンネル効果を初めて実証した例であり、かつ電子工学においてトンネルダイオード（またはエサキダイオード）という新しい電子デバイスの誕生であった。この成果により、1959年には東京大学から博士の学位を授与されるとともに、1973年にノーベル物理学賞を受賞した。

1960年、米国IBM T.J.Watson研究所に移籍。磁場と電場の下における新しいタイプの電子－フォノン相互作用や、トンネル分光の研究を行った。更に分子線エピタキシー法を開発し、これを用いて半導体超格子構造をつくることに成功した。

1992年、筑波大学学長に就任した。学長として6年、産・官・学連携の拠点として先端学際領域研究センター（TARAセンター）の立ち上げ等、大学改革の推進を行った。

2000年、小渕恵三首相の要請により、教育改革国民会議の座長に就任。合計13回の全体会議等を通じ、「教育を変える17の提言」を骨子とする最終報告を纏め上げたが、会合の席上で、遺伝子レベル（優生学）での出生選別（日本を背負って立つエリートを見つけ伸ばす為の選別）と受け取れる発言をして物議を醸した。

『ウィキペディア（Wikipedia）』引用

日本の半導体技術の礎を作った方と言えるでしょう。

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